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IPD60R950C6ATMA1

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IPD60R950C6ATMA1

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Numero di parte IPD60R950C6ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
Scheda dati

IPD60R950C6ATMA1 Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IPD60R950C6ATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieCoolMOS? C6
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds280pF @ 100V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs950 mOhm @ 1.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD60R950C6ATMA1

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IPD60R950C6ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD60R950C6ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPD60R950C6ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPD60R950C6ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPD60R950C6ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPD60R950C6ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD60R950C6ATMA1?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# V36:1790_06384560

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# IPD60R950C6ATMA1

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin TO-252 T/R - Bulk (Alt: IPD60R950C6ATMA1)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD60R950C6ATMA1

D# SP001117730

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP001117730)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD60R950C6ATMA1

 Infineon Technologies AG

COOL MOS - Tape and Reel

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD60R950C6ATMA1

D# IPD60R950C6ATMA1TR-ND

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD60R950C6ATMA1

D# 2443399RL

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 650V, 5.7A, TO-252-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD60R950C6ATMA1

 Infineon Technologies AG

Single N-Channel 600 V 950 mOhm 13 nC CoolMOS™ Power Mosfet - DPAK-3

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
 100
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD60R950C6ATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 2900
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD60R950C6ATMA1

D# 726-IPD60R950C6ATMA1

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 650V 4.4A DPAK-2

RoHS: Compliant
 3472
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD60R950C6ATMA1

D# XSKDRABS0034510

 Infineon Technologies AG

TO252-3/600V CoolMOS C6 Power Transistor

 2500
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD60R950C6ATMA1

D# 85X6033

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 650V, 5.7A, TO-252-3, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:650V, Continuous Drain Current Id:5.7A, On Resistance Rds(on):0.68ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, MSL:-RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 215

IPD60R950C6ATMA1.

D# 14AC9233

 Infineon Technologies AG

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:650V, Continuous Drain Current Id:5.7A, On Resistance Rds(on):0.68ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Product Range:-RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD60R950C6ATMA1

D# 7533015P

 Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 4.4 A, 650 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD60R950C6ATMA1, RL

Min Qty: 5
Container: Reel
 2325
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD60R950C6ATMA1

 Infineon Technologies AG

IPD60R950 - 600V CoolMOS N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant
 6244
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD60R950C6ATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

 2516
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD60R950C6ATMA1

D# 40075863

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD60R950C6ATMA1

D# 1860802

 Infineon Technologies AG

MOSFET,N CH,600V,8.1A,TO252

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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