* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Numero di parte | IPD65R600E6ATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
|
| A magazzino | 2.048 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | gen 26 - gen 31 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
|
| Serie | CoolMOS? E6 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.1A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
|
502NBD-ACAF | Silicon Labs, OSC PROG LVCMOS 1.7V-3.6V EN/DS, 4-SMD, No Lead, CoolMOS? E6 | Visualizza |
|
1812Y2000274KET | Knowles Syfer, CAP CER 1812, -, CoolMOS? E6 | Visualizza |
|
MAX5884EGM+D | Maxim Integrated, IC DAC 14BIT 3.3V 200MSPS 48-QFN, 48-QFN Exposed Pad, CoolMOS? E6 | Visualizza |
|
|
RNR50J4992FSBSL | Vishay Dale, RES 49.9K OHM 1/10W 1% AXIAL, Axial, CoolMOS? E6 | Visualizza |
|
RNC55J5762BSRSL | Vishay Dale, RES 57.6K OHM 1/8W .1% AXIAL, Axial, CoolMOS? E6 | Visualizza |
|
|
RN60C2612BRSL | Vishay Dale, RES 26.1K OHM 1/4W .1% AXIAL, Axial, CoolMOS? E6 | Visualizza |
|
RN55D9313FRE6 | Vishay Dale, RES 931K OHM 1/8W 1% AXIAL, Axial, CoolMOS? E6 | Visualizza |
|
CRCW0402220RJNEDHP | Vishay Dale, RES SMD 220 OHM 5% 1/5W 0402, 0402 (1005 Metric), CoolMOS? E6 | Visualizza |
|
CLE-168-01-G-DV | Samtec Inc., CONN RCPT 136PS .8MM DL GOLD SMD, -, CoolMOS? E6 | Visualizza |
|
311-87-163-41-001101 | Preci-Dip, PCB CONN SOLDER TAIL 2.54MM, -, CoolMOS? E6 | Visualizza |
|
|
0908143818 | Molex, LLC, 18CKT PICOFLEX SMT HEADER, -, CoolMOS? E6 | Visualizza |
|
|
VE-B61-EX-F2 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 12V 75W, Full Brick, CoolMOS? E6 | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R600E6ATMA1 D# E02:0323_07287333 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R600E6ATMA1 D# IPD65R600E6ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin TO-252 T/R - Bulk (Alt: IPD65R600E6ATMA1) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R600E6ATMA1 D# SP001117096 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP001117096) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R600E6ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
COOL MOS - Tape and Reel |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R600E6ATMA1 D# 2156-IPD65R600E6ATMA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
IPD65R600 - COOLMOS N-CHANNEL |
2089 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R600E6ATMA1 D# 2443437RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 700V, 7.3A, TO-252-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R600E6ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
31900 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R600E6ATMA1 D# 726-IPD65R600E6ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 RoHS: Compliant
|
2490 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R600E6ATMA1 D# XSKDRABV0052608 |
Infineon Technologies AG | 7500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R600E6ATMA1 D# 29AH5983 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 700V, 7.3A, TO-252-3, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:7.3A, Drain Source Voltage Vds:700V, On Resistance Rds(on):0.54ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
1576 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R600E6ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
IPD65R600 - CoolMOS N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
|
2089 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R600E6ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
6991 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R600E6ATMA1 D# 19847545 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R600E6ATMA1 D# 2443437 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 700V, 7.3A, TO-252-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
1576 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa IPD65R600E6ATMA1?
+86-755-83210559 ext. 803
Scansiona per visualizzare questa pagina
