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| Numero di parte | IPD65R660CFDAATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH TO252-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.280 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | nov 25 - nov 30 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| Serie | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 214.55µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 543pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660 mOhm @ 3.22A, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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SIT1602BI-71-33E-60.000000E | SiTime, -40 TO 85C, 2016, 20PPM, 3.3V, 6, -, Automotive, AEC-Q101, CoolMOS? | Visualizza |
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VJ1206A391JBCAT4X | Vishay Vitramon, CAP CER 390PF 200V NP0 1206, 1206 (3216 Metric), Automotive, AEC-Q101, CoolMOS? | Visualizza |
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0603J0630181KDR | Knowles Syfer, CAP CER 180PF 63V X7R 0603, 0603 (1608 Metric), Automotive, AEC-Q101, CoolMOS? | Visualizza |
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ESH1D-M3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division, DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC, DO-214AC, SMA, Automotive, AEC-Q101, CoolMOS? | Visualizza |
 
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PCM54HP | Texas Instruments, IC 16 BIT MONOLITHIC D/A 28 DIP, 28-DIP (0.600", 15.24mm), Automotive, AEC-Q101, CoolMOS? | Visualizza |
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CMF6039K200FHBF | Vishay Dale, RES 39.2K OHM 1W 1% AXIAL, Axial, Automotive, AEC-Q101, CoolMOS? | Visualizza |
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AT0805CRD0754R9L | Yageo, RES SMD 54.9 OHM 0.25% 1/8W 0805, 0805 (2012 Metric), Automotive, AEC-Q101, CoolMOS? | Visualizza |
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CRCW080511K5FHEAP | Vishay Dale, RES SMD 11.5K OHM 1% 1/8W 0805, 0805 (2012 Metric), Automotive, AEC-Q101, CoolMOS? | Visualizza |
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8T114F97AN | Souriau, 8T 12C 8#20 4#16 PIN RECP, -, Automotive, AEC-Q101, CoolMOS? | Visualizza |
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8D125ZC19SN-LC | Souriau, CONN RCPT HSG FMALE 19POS INLINE, -, Automotive, AEC-Q101, CoolMOS? | Visualizza |
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MT29F4G08ABBDAHC-IT:D | Micron Technology Inc., IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA, -, Automotive, AEC-Q101, CoolMOS? | Visualizza |
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SI5351C-B08809-GM | Silicon Labs, I2C PROG, ANY FREQUENCY, ANY OUT, -, Automotive, AEC-Q101, CoolMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R660CFDAATMA1 D# V72:2272_06383438 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 650V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R660CFDAATMA1 D# IPD65R660CFDAATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin TO-252 T/R - Bulk (Alt: IPD65R660CFDAATMA1) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R660CFDAATMA1 D# SP000928260 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP000928260) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R660CFDAATMA1 D# 448-IPD65R660CFDAATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3 |
1788 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R660CFDAATMA1 D# 3227641RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 650V, 150DEG C, 62.5W RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R660CFDAATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2572 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R660CFDA D# 726-IPD65R660CFDA |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2 RoHS: Compliant
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1778 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R660CFDAATMA1 D# 39AH8910 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 650V, 150DEG C, 62.5W ROHS COMPLIANT: YES RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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1595 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R660CFDAATMA1 |
Infineon Technologies AG |
IPD65R660 - 600V-800V N-Channel Automotive MOSFET RoHS: Compliant
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10000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R660CFDAATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
2312 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R660CFDAATMA1 D# 31084167 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 650V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD65R660CFDAATMA1 D# 3227641 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 650V, 150DEG C, 62.5W RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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1595 |
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