Numero di parte | IPL60R299CP |
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Produttore | Infineon Technologies |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON |
Scheda dati | |
pacchetto | 4-PowerTSFN |
ECAD | |
A magazzino | 25.824 piece(s) |
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Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R299CPAUMA1 D# V72:2272_06378163 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R299CPAUMA1 D# IPL60R299CPAUMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP - Bulk (Alt: IPL60R299CPAUMA1) RoHS: Compliant
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R299CPAUMA1 D# 2156-IPL60R299CPAUMA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET |
47017 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R299CPAUMA1 D# 2480845 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 11.1A, VSON-4 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R299CPAUMA1 |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
7707 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R299CP D# 726-IPL60R299CP |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 650V 11.1A ThinPAK-4 CoolMOS CP RoHS: Compliant
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785 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R299CPAUMA1 D# 50Y2050 |
Infineon Technologies AG |
Power MOSFET, N Channel, 11.1 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R299CPAUMA1 |
Infineon Technologies AG |
IPL60R299 - 600V CoolMOS N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
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47017 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R299CPAUMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
3016 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R299CPAUMA1 D# 31690522 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R299CP |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON |
4600 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
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DG ISO 2.5KV RS422/RS485 16SOIC
DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD
IC RECT BRIDGE 0.5A 600V 4SOIC
CAP CER 6.8PF 50V C0G/NP0 0603
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
CAP TANT 10UF 25V 10% 1411
IC REG LIN POS ADJ 400MA TO263-5
TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3
DIODE SCHOTTKY 60V 5A SMC
MOSFET P-CH 40V 24A TO252