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| Numero di parte | IPN50R1K4CEATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | CONSUMER |
| Scheda dati | |
| pacchetto | - |
| ECAD |
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| A magazzino | 4.272 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | dic 21 - dic 26 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | - |
| ECAD |
|
| Serie | * |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
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AT-11.2896MDGI-T | TXC CORPORATION, CRYSTAL 11.2896MHZ 16PF SMD, HC49/US, * | Visualizza |
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GRM0335C1E1R9BD01D | Murata, CAP CER 1.9PF 25V NP0 0201, 0201 (0603 Metric), * | Visualizza |
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105CKR100M | Illinois Capacitor, CAP ALUM 1UF 20% 100V THRU HOLE, Radial, Can, * | Visualizza |
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MIC38C45ABMM-TR | Microchip Technology, IC REG CTRLR MULT TOPOLOGY 8MSOP, 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), * | Visualizza |
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3SBP 200-R | Bel Fuse Inc., FUSE GLASS 200MA 250VAC 3AB 3AG, 3AB, 3AG, 1/4" x 1-1/4" (Axial), * | Visualizza |
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IEGF6-34542-40B-V | Sensata Technologies/Airpax, CIR BRKR MAG-HYDR LEVER, -, * | Visualizza |
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RNC55H2943BSBSL | Vishay Dale, RES 294K OHM 1/8W .1% AXIAL, Axial, * | Visualizza |
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AA1206JR-07110KL | Yageo, RES SMD 110K OHM 5% 1/4W 1206, 1206 (3216 Metric), * | Visualizza |
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PWR263S-20-7R50J | Bourns Inc., RES SMD 7.5 OHM 5% 20W D2PAK, TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, * | Visualizza |
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ERJ-1GEF2261C | Panasonic Electronic Components, RES SMD 2.26K OHM 1% 1/20W 0201, 0201 (0603 Metric), * | Visualizza |
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FTS-106-02-FM-DV | Samtec Inc., .050 X .050 C.L. LOW PROFILE TER, -, * | Visualizza |
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2-176771-2 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN HEADER .049" 22POS SMT TIN, -, * | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN50R1K4CEATMA1 D# V72:2272_14663621 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN50R1K4CEATMA1 D# IPN50R1K4CEATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N 550V 4.8A 3-Pin SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: IPN50R1K4CEATMA1) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN50R1K4CEATMA1 D# SP001460674 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N 550V 4.8A 3-Pin SOT-223 T/R (Alt: SP001460674) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN50R1K4CEATMA1 D# IPN50R1K4CEATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223 |
204 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN50R1K4CEATMA1 D# 2617453 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 500V, 4.8A, SOT-223-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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4132 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN50R1K4CEATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin 1.4 rdson SOT-223 T/R RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN50R1K4CEATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
6696 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN50R1K4CEATMA1 D# 726-IPN50R1K4CEATMA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET CONSUMER RoHS: Compliant
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5106 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN50R1K4CEATMA1 D# 97Y1826 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 500V, 4.8A, SOT-223-3, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:4.8A, Drain Source Voltage Vds:500V, On Resistance Rds(on):1.26ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:13V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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175 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN50R1K4CEATMA1 D# 1300911P |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 4.8 A, 550 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon IPN50R1K4CEATMA1, RL Min Qty: 25
Container: Reel
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10650 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN50R1K4CEATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
4852 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN50R1K4CEATMA1 D# 31920050 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN50R1K4CEATMA1 D# 2617453 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 500V, 4.8A, SOT-223-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
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