* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Numero di parte | IPN60R600P7SATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | CONSUMER |
| Scheda dati | |
| pacchetto | - |
| ECAD |
|
| A magazzino | 6.560 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | gen 23 - gen 28 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | - |
| ECAD |
|
| Serie | * |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
 
|
NTD5867NLT4G | ON Semiconductor, MOSFET N-CH 60V 20A DPAK, TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, * | Visualizza |
|
SBR10B45P5-13D | Diodes Incorporated, DIODE SBR 45V 10A POWERDI5, PowerDI? 5, * | Visualizza |
|
SS3P6-M3/84A | Vishay Semiconductor Diodes Division, DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO220AA, DO-220AA, * | Visualizza |
|
LP2987AIM-3.8/NOPB | Texas Instruments, IC REG LINEAR 3.8V 200MA 8SOIC, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), * | Visualizza |
|
MB90214PF-GT-334-A-TK2 | Cypress Semiconductor Corp, IC MCU 16BIT 64KB MROM 80QFP, 80-BQFP, * | Visualizza |
|
80E1C15.5 | Littelfuse Inc., FUSE CRTRDGE 80A 15.5KVAC NONSTD, Cartridge, Non-Standard, * | Visualizza |
|
|
IEGZX11-39657-20-V | Sensata Technologies/Airpax, CIR BRKR MAG-HYDR ROCKER, -, * | Visualizza |
|
H812K1BDA | TE Connectivity Passive Product, RES 12.1K OHM 1/4W 0.1% AXIAL, Axial, * | Visualizza |
|
TNPW20105K60BETF | Vishay Dale, RES SMD 5.6K OHM 0.1% 0.4W 2010, 2010 (5025 Metric), * | Visualizza |
|
|
FOLC-116-M1-L-Q | Samtec Inc., .050'' X .050 SOCKET STRIP, -, * | Visualizza |
|
|
DWM-50-57-L-D-290 | Samtec Inc., .050" BOARD SPACERS, -, * | Visualizza |
|
|
61082-183122 | Amphenol FCI, CONN RECEPT 180POS .8MM DUAL SMD, -, * | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R600P7SATMA1 D# E02:0323_11636989 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R600P7SATMA1 D# IPN60R600P7SATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Transistor MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: IPN60R600P7SATMA1) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R600P7SATMA1 D# SP001681930 |
Infineon Technologies AG |
Transistor MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin SOT-223 T/R (Alt: SP001681930) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R600P7SATMA1 D# C1S322000720422 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
|
4989 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R600P7SATMA1 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel 600V 6A(Tc) 4V @ 80uA 600mohms @ 1.7A,10V 7W(Tc) PG-SOT223 MOSFET RoHS |
33 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R600P7SATMA1 D# IPN60R600P7SATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223 |
29 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R600P7SATMA1 D# 2986471RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 6A, 7W, SOT-223 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R600P7SATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2356 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R600P7SATMA1 D# 93AC7119 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 6A, 7W, SOT-223, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:6A, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):0.49ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3.5V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
1635 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R600P7SATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
2126 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R600P7SATMA1 D# 45122177 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R600P7SATMA1 D# 2986471 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 6A, 7W, SOT-223 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
|
1635 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa IPN60R600P7SATMA1?
+86-755-83210559 ext. 803
Scansiona per visualizzare questa pagina
