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IPP052NE7N3GHKSA1

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Numero di parte IPP052NE7N3GHKSA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Scheda dati

IPP052NE7N3GHKSA1 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche IPP052NE7N3GHKSA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.8V @ 91µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4750pF @ 37.5V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.2 mOhm @ 80A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO-220-3
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica IPP052NE7N3GHKSA1

IPP052NE7N3GHKSA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

IPP052NE7N3GHKSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPP052NE7N3GHKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPP052NE7N3GHKSA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPP052NE7N3GHKSA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPP052NE7N3GHKSA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPP052NE7N3GHKSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPP052NE7N3GHKSA1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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