Name: IPP06CN10NGXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP06CN10NGXKSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (140 reviews)

IPP06CN10NGXKSA1

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Numero di parte	IPP06CN10NGXKSA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
Scheda dati	IPP06CN10NGXKSA1 Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	3.376 piece(s)
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Specifiche IPP06CN10NGXKSA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 180µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	139nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9200pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IPP06CN10NGXKSA1

IPP06CN10NGXKSA1 Packaging

IPP06CN10NGXKSA1 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPP06CN10NGXKSA1

D# IPP06CN10NGXKSA1-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

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