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IPP100N06S3-03

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Numero di parte IPP100N06S3-03
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
Scheda dati

IPP100N06S3-03 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche IPP100N06S3-03

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 230µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs480nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds21620pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3 mOhm @ 80A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO220-3-1
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica IPP100N06S3-03

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPP100N06S3-03 is from the original manufacturer or authorized agents?
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N/A 100 A, 55 V, 0.0033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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