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| Numero di parte | IPP114N12N3GXKSA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 16.512 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | dic 22 - dic 27 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
|
| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4310pF @ 60V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4 mOhm @ 75A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO-220-3 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
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SIT8209AI-3F-28S-156.257812Y | SiTime, -40 TO 85C, 5032, 10PPM, 2.8V, 1, -, OptiMOS? | Visualizza |
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C2012X7R1V225M125AB | TDK Corporation, CAP CER 2.2UF 35V X7R 0805, 0805 (2012 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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AS8C803601-QC150N | Alliance Memory, Inc., IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP, 100-LQFP, OptiMOS? | Visualizza |
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MXL15KP45AE3 | Microsemi Corporation, TVS DIODE 45VWM 73VC CASE5A, DO-204AR, Axial, OptiMOS? | Visualizza |
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Y001525K6000B1L | Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group), RES 25.6K OHM 1/4W 0.1% AXIAL, Axial, OptiMOS? | Visualizza |
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H4267RBYA | TE Connectivity Passive Product, RES 267 OHM 1/2W 0.1% AXIAL, Axial, OptiMOS? | Visualizza |
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D38999/26WF11HE | Amphenol Aerospace Operations, CONN PLUG MALE 11POS GOLD CRIMP, -, OptiMOS? | Visualizza |
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CS3101A-18-1P(SR) | Amphenol Industrial Operations, CONN RCPT 10POS IN LINE W/PINS, -, OptiMOS? | Visualizza |
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86094328813748VALF | Amphenol FCI, CONN DIN RCPT, -, OptiMOS? | Visualizza |
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09030006160 | HARTING, DIN-SGNL COAX M SLD/CRIMP 50OHM, -, OptiMOS? | Visualizza |
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VE-B5V-MX | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 75W, Full Brick, OptiMOS? | Visualizza |
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VE-B51-CU-B1 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 12V 200W, Full Brick, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP114N12N3GXKSA1 D# V36:1790_06383542 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP114N12N3GXKSA1 D# IPP114N12N3GXKSA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 - Rail/Tube (Alt: IPP114N12N3GXKSA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP114N12N3GXKSA1 D# SP000652740 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 (Alt: SP000652740) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP114N12N3GXKSA1 D# IPP114N12N3GXKSA1-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3 |
333 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP114N12N3GXKSA1 D# 2709956 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 120V, 75A, TO-220 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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211 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP114N12N3GXKSA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 120 V 11.4 mOhm 49 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP114N12N3GXKSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
464 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP114N12N3 G D# 726-IPP114N12N3G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 120V 75A TO220-3 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
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235 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP114N12N3GXKSA1 D# XSKDRABS0107771 |
Infineon Technologies AG |
Trench >=100V |
300 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP114N12N3GXKSA1 D# 12AC9727 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 120V, 75A, TO-220, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:75A, Drain Source Voltage Vds:120V, On Resistance Rds(on):0.0098ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
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181 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP114N12N3GXKSA1 D# 8922179P |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 75 A, 120 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP114N12N3GXKSA1, TU Min Qty: 5
Container: Tube
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310 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP114N12N3GXKSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
711 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP114N12N3GXKSA1 D# 2709956 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 120V, 75A, TO-220 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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181 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
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+86-755-83210559 ext. 807
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