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IPP139N08N3 G

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IPP139N08N3 G

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Numero di parte IPP139N08N3 G
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3
Scheda dati

IPP139N08N3 G Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche IPP139N08N3 G

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C45A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 33µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1730pF @ 40V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.9 mOhm @ 45A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO-220-3
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica IPP139N08N3 G

IPP139N08N3 G Packaging

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Sealing
Packing
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IPP139N08N3 G FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that IPP139N08N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPP139N08N3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPP139N08N3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPP139N08N3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPP139N08N3 G price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPP139N08N3 G?
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    (1)Inform us within 90 days
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N-CHANNEL POWER MOSFET

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Rochester Electronics LLC

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Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 45A, 80V, 0.0139ohm, N-Channel, MOSFET

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