Name: IPP147N03L G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP147N03L-G
Availability: InStock
Rating: 5 (110 reviews)

IPP147N03L G

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Numero di parte	IPP147N03L G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 20A TO-220-3
Scheda dati	IPP147N03L G Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche IPP147N03L G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.7 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IPP147N03L G

IPP147N03L G Packaging

IPP147N03L G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IPP147N03L G is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IPP147N03L G price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPP147N03L G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPP147N03L G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPP147N03L G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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