Name: IPP16CNE8N G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP16CNE8N-G
Availability: InStock
Rating: 5 (165 reviews)

IPP16CNE8N G

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Numero di parte	IPP16CNE8N G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 85V 53A TO-220
Scheda dati	IPP16CNE8N G Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	3.616 piece(s)
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Specifiche IPP16CNE8N G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	85V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	53A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 61µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3230pF @ 40V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.5 mOhm @ 53A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IPP16CNE8N G

IPP16CNE8N G Packaging

IPP16CNE8N G FAQ

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3. Are the IPP16CNE8N G price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPP16CNE8N G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPP16CNE8N G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPP16CNE8N G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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