Name: IPP50R299CPHKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP50R299CPHKSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (182 reviews)

IPP50R299CPHKSA1

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Numero di parte	IPP50R299CPHKSA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 550V TO220-3
Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	4.816 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche IPP50R299CPHKSA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	CoolMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	550V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1190pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	299 mOhm @ 6.6A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO220-3-1
Pacchetto / caso	TO-220-3

IPP50R299CPHKSA1 Packaging

IPP50R299CPHKSA1 FAQ

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3. Are the IPP50R299CPHKSA1 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPP50R299CPHKSA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPP50R299CPHKSA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPP50R299CPHKSA1

D# IPP50R299CPHKSA1-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3

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