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IPP60R190E6

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IPP60R190E6

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Numero di parte IPP60R190E6
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
Scheda dati

IPP60R190E6 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche IPP60R190E6

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieCoolMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 630µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs63nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 100V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 9.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO-220-3
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica IPP60R190E6

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IPP60R190E6 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPP60R190E6 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPP60R190E6. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPP60R190E6 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPP60R190E6 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPP60R190E6 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
    Wire Transfer, PayPal, Alipay, Wechat, Credit Card, Western Union, MoneyGram, and Escrow are all acceptable.
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPP60R190E6?
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Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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INFIPP60R190E 6 SP000797378_COOL MOS_TU_

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MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS E6

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TO220-3/COOL MOS

700
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3481
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 600V, 0.19OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB

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N-CH 600V 20A 190mOhm TO220-3

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