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IPP60R380P6XKSA1

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Numero di parte IPP60R380P6XKSA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 600V TO220-3
Scheda dati

IPP60R380P6XKSA1 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche IPP60R380P6XKSA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieCoolMOS? P6
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 320µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds877pF @ 100V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs380 mOhm @ 3.8A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO-220-3
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica IPP60R380P6XKSA1

IPP60R380P6XKSA1 Packaging

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600(Min)V 10.6A 3-Pin TO-220 Tube - Bulk (Alt: SP001017058)

0
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D# IPP60R380P6XKSA1-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 2420498

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 600V, 10.6A, TO-220-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Each
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

1972
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