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IRF1010ESTRLPBF

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IRF1010ESTRLPBF

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Numero di parte IRF1010ESTRLPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Scheda dati

IRF1010ESTRLPBF Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IRF1010ESTRLPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C84A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3210pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IRF1010ESTRLPBF

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IRF1010ESTRLPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF1010ESTRLPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF1010ESTRLPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF1010ESTRLPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF1010ESTRLPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF1010ESTRLPBF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRF1010ESTRLPBF?
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    (1)Inform us within 90 days
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D# V72:2272_13889884

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IRF1010ESTRLPBF

D# IRF1010ESTRLPBF

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRF1010ESTRLPBF)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IRF1010ESTRLPBF

D# SP001553824

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: SP001553824)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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International Rectifier

Min Qty 800

0
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IRF1010ESTRLPBF

D# C1S327400954891

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
860
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IRF1010ESTRLPBF

Infineon Technologies AG

N-Channel 60V 84A(Tc) 4V @ 250uA 12mohms @ 50A,10V 200W(Tc) D2PAK MOSFET RoHS

732
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IRF1010ESTRLPBF

International Rectifier

RoHS: Compliant
0
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IRF1010ESTRLPBF

D# IRF1010ESTRLPBFCT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK

725
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9260
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IRF1010ESTRLPBF

D# 2725878

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 60V, 84A, TO-263AB

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
110
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Infineon Technologies AG

Single N-Channel 60 V 12 mOhm 130 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
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Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

48256
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D# C459929

Infineon Technologies AG

732
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OEM/CM Immediate delivery

88720
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D# 13AC9169

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 60V, 84A, TO-263AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:84A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.012ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power DissipationRoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
110
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IRF1010ESTRLPBF

D# NS-IRF1010ESTRLPBF

International Rectifier

OEM/CM ONLY

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International Rectifier

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 75A I(D), 60V, 0.012OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

155
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IRF1010 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant
26100
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OEM/CM ONLY

32016
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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