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IRF1010ZPBF

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Numero di parte IRF1010ZPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
Scheda dati

IRF1010ZPBF Scheda dati

pacchetto TO-220-3
A magazzino 18.114 piece(s)
Prezzo unitario $ 1,7000 *
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Specifiche IRF1010ZPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2840pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5 mOhm @ 75A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

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