| Numero di parte | IRF1010ZPBF |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-220-3 |
| A magazzino | 18.114 piece(s) |
| Prezzo unitario | $ 1,7000 * |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
| Tempo di consegna stimato | mar 6 - mar 11 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-220-3 |
| Serie | HEXFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2840pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 75A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
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