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IRF3710ZGPBF

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Numero di parte IRF3710ZGPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
Scheda dati

IRF3710ZGPBF Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche IRF3710ZGPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C59A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2900pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs18 mOhm @ 35A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica IRF3710ZGPBF

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IRF3710ZGPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF3710ZGPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF3710ZGPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF3710ZGPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF3710ZGPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF3710ZGPBF price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRF3710ZGPBF?
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    (1)Inform us within 90 days
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