Name: IRF5803D2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5803D2PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (171 reviews)

IRF5803D2PBF

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Numero di parte	IRF5803D2PBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Scheda dati	IRF5803D2PBF Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF5803D2PBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	FETKY?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1110pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	112 mOhm @ 3.4A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica IRF5803D2PBF

IRF5803D2PBF Packaging

IRF5803D2PBF FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IRF5803D2PBF is from the original manufacturer or authorized agents?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO

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