Name: IRF6631TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6631TRPBF
Availability: InStock
Rating: 5 (106 reviews)

IRF6631TRPBF

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Numero di parte	IRF6631TRPBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Scheda dati	IRF6631TRPBF Scheda dati
pacchetto	DirectFET? Isometric SQ
ECAD
A magazzino	55.236 piece(s)
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Specifiche IRF6631TRPBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	DirectFET? Isometric SQ
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	13A (Ta), 57A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1450pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.8 mOhm @ 13A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DIRECTFET? SQ
Pacchetto / caso	DirectFET? Isometric SQ

Scheda tecnica IRF6631TRPBF

IRF6631TRPBF Packaging

IRF6631TRPBF FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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N CHANNEL MOSFET, 30V, 10A, DIRECTFET SQ, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:10A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):7.8mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.8V , RoHS Compliant: Yes

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