Name: IRF6641TR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6641TR1PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (149 reviews)

IRF6641TR1PBF

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Numero di parte	IRF6641TR1PBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Scheda dati	IRF6641TR1PBF Scheda dati
pacchetto	DirectFET? Isometric MZ
ECAD
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Specifiche IRF6641TR1PBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	DirectFET? Isometric MZ
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.6A (Ta), 26A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.9V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2290pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59.9 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DIRECTFET? MZ
Pacchetto / caso	DirectFET? Isometric MZ

Scheda tecnica IRF6641TR1PBF

IRF6641TR1PBF Packaging

IRF6641TR1PBF FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IRF6641TR1PBF is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IRF6641TR1PBF price and inventory displayed accurate?

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRF6641TR1PBF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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