Name: IRF6710S2TR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6710S2TR1PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (83 reviews)

IRF6710S2TR1PBF

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Numero di parte	IRF6710S2TR1PBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Scheda dati	IRF6710S2TR1PBF Scheda dati
pacchetto	DirectFET? Isometric S1
ECAD
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Specifiche IRF6710S2TR1PBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	DirectFET? Isometric S1
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 37A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1190pF @ 13V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.9 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DIRECTFET S1
Pacchetto / caso	DirectFET? Isometric S1

Scheda tecnica IRF6710S2TR1PBF

IRF6710S2TR1PBF Packaging

IRF6710S2TR1PBF FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRF6710S2TR1PBF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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