Name: IRF6718L2TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6718L2TRPBF
Availability: InStock
Rating: 5 (100 reviews)

IRF6718L2TRPBF

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Numero di parte	IRF6718L2TRPBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
Scheda dati	IRF6718L2TRPBF Scheda dati
pacchetto	DirectFET? Isometric L6
ECAD
A magazzino	5.760 piece(s)
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Specifiche IRF6718L2TRPBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	DirectFET? Isometric L6
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	61A (Ta), 270A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	96nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6500pF @ 13V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	4.3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.7 mOhm @ 61A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DIRECTFET L6
Pacchetto / caso	DirectFET? Isometric L6

Scheda tecnica IRF6718L2TRPBF

IRF6718L2TRPBF Packaging

IRF6718L2TRPBF FAQ

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3. Are the IRF6718L2TRPBF price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MOSFET, N-CH, 25V, 270A, DIRECTFET L6, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:270A, Drain Source Voltage Vds:25V, On Resistance Rds(on):500µohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.9V, Power RoHS Compliant: Yes

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