Name: IRF6811STR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6811STR1PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (118 reviews)

IRF6811STR1PBF

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Numero di parte	IRF6811STR1PBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
Scheda dati	IRF6811STR1PBF Scheda dati
pacchetto	DirectFET? Isometric SQ
ECAD
A magazzino	3.840 piece(s)
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Specifiche IRF6811STR1PBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	DirectFET? Isometric SQ
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Ta), 74A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1590pF @ 13V
Vgs (massimo)	±16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7 mOhm @ 19A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DIRECTFET? SQ
Pacchetto / caso	DirectFET? Isometric SQ

Scheda tecnica IRF6811STR1PBF

IRF6811STR1PBF Packaging

IRF6811STR1PBF FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRF6811STR1PBF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Single N-Channel 25 V 2.1 W 11 nC Power Mosfet Surface Mount- DirectFET

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RoHS: Compliant

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IRF6811STR1PBF

D# IRF6811STR1PBFTR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET

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