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IRF7459TRPBF

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Numero di parte IRF7459TRPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
Scheda dati

IRF7459TRPBF Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF7459TRPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2480pF @ 10V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica IRF7459TRPBF

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IRF7459TRPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF7459TRPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF7459TRPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF7459TRPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF7459TRPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF7459TRPBF price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRF7459TRPBF?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IRF7459TRPBF we delivered, we will accept the replacement or return of the IRF7459TRPBF only when all of the below conditions are fulfilled:
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