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IRF7809PBF

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Numero di parte IRF7809PBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 28V 14.5A 8-SOIC
Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF7809PBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)28V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C14.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF7809PBF Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

IRF7809PBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF7809PBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF7809PBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF7809PBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF7809PBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF7809PBF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRF7809PBF?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 28V 14.5A 8SO

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