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IRF7811WGTRPBF

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Numero di parte IRF7811WGTRPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Scheda dati

IRF7811WGTRPBF Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF7811WGTRPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C14A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2335pF @ 16V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 15A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica IRF7811WGTRPBF

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF7811WGTRPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF7811WGTRPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF7811WGTRPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF7811WGTRPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF7811WGTRPBF price and inventory displayed accurate?
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MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

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