Name: IRF8113GPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8113GPBF
Availability: InStock
Rating: 5 (97 reviews)

IRF8113GPBF

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Numero di parte	IRF8113GPBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
Scheda dati	IRF8113GPBF Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF8113GPBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	17.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2910pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica IRF8113GPBF

IRF8113GPBF Packaging

IRF8113GPBF FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IRF8113GPBF we delivered, we will accept the replacement or return of the IRF8113GPBF only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRF8113GPBF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# IRF8113GPBF

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Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC - Bulk (Alt: IRF8113GPBF)

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MOSFET, 30V, 16.6A, 6 MOHM, 24 NC QG, SO-8, HALOGEN-FREE

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D# 2156-IRF8113GPBF-IR-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO

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