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IRF8113GTRPBF

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Numero di parte IRF8113GTRPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Scheda dati

IRF8113GTRPBF Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF8113GTRPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2910pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica IRF8113GTRPBF

IRF8113GTRPBF Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF8113GTRPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF8113GTRPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF8113GTRPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF8113GTRPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF8113GTRPBF price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRF8113GTRPBF?
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