Name: IRF8513PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8513PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (183 reviews)

IRF8513PBF

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Numero di parte	IRF8513PBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
Scheda dati	IRF8513PBF Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF8513PBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	766pF @ 15V
Potenza - Max	1.5W, 2.4W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

Scheda tecnica IRF8513PBF

IRF8513PBF Packaging

IRF8513PBF FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IRF8513PBF is from the original manufacturer or authorized agents?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 8A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:8A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):15.5mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.8V , RoHS Compliant: Yes

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