Name: IRFB16N50K
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFB16N50K
Availability: InStock
Rating: 5 (137 reviews)

IRFB16N50K

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Numero di parte	IRFB16N50K
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
Scheda dati	IRFB16N50K Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	2.048 piece(s)
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Specifiche IRFB16N50K

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	17A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	89nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2210pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	280W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IRFB16N50K

IRFB16N50K Packaging

IRFB16N50K FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IRFB16N50K is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRFB16N50K. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRFB16N50K on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRFB16N50K products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the IRFB16N50K price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IRFB16N50K we delivered, we will accept the replacement or return of the IRFB16N50K only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRFB16N50K.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as IRFB16N50K pin diagram, IRFB16N50K datasheet?

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 17A I(D), 500V, 0.35OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB

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