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IRFB31N20DPBF

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IRFB31N20DPBF

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Numero di parte IRFB31N20DPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
Scheda dati

IRFB31N20DPBF Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche IRFB31N20DPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C31A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs107nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2370pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3.1W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs82 mOhm @ 18A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica IRFB31N20DPBF

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Packing
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IRFB31N20DPBF FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that IRFB31N20DPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRFB31N20DPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRFB31N20DPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRFB31N20DPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRFB31N20DPBF price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRFB31N20DPBF?
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Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: IRFB31N20DPBF)

0
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Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: SP001560192)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IRFB31N20DPBF

International Rectifier

Transistor: N-MOSFET, unipolar, HEXFET, 200V, 31A, 200W

138
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Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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295
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D# 2156-IRFB31N20DPBFINF-ND

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IRFB31N20 - N-CHANNEL POWER MOS

2413
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MOSFET, N, 200V, 31A, TO-220

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INFINEON/IR

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

35032
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IRFB31N20DPBF

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N-Channel 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-220AB

RoHS: Compliant
22478
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88720
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IRFB31N20DPBF

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N CHANNEL MOSFET, 200V, 31A, TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:200V, Continuous Drain Current Id:31A, On Resistance Rds(on):0.082ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

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Infineon Technologies AG

N CHANNEL MOSFET, 200V, 31A, TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:200V, Continuous Drain Current Id:31A, On Resistance Rds(on):0.082ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

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IRFB31N20 - N-Channel Power MOSFET

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