Name: IRFB4310GPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB4310GPBF
Availability: InStock
Rating: 5 (149 reviews)

IRFB4310GPBF

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Numero di parte	IRFB4310GPBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
Scheda dati	IRFB4310GPBF Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche IRFB4310GPBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	130A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	250nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7670pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 75A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IRFB4310GPBF

IRFB4310GPBF Packaging

IRFB4310GPBF FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IRFB4310GPBF is from the original manufacturer or authorized agents?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IRFB4310GPBF we delivered, we will accept the replacement or return of the IRFB4310GPBF only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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