Name: IRFB9N30APBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFB9N30APBF
Availability: InStock
Rating: 5 (85 reviews)

IRFB9N30APBF

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Numero di parte	IRFB9N30APBF
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
Scheda dati	IRFB9N30APBF Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche IRFB9N30APBF

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	300V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 5.6A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IRFB9N30APBF

IRFB9N30APBF Packaging

IRFB9N30APBF FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IRFB9N30APBF is from the original manufacturer or authorized agents?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRFB9N30APBF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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