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IRFBC30ASTRRPBF

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Numero di parte IRFBC30ASTRRPBF
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Scheda dati

IRFBC30ASTRRPBF Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IRFBC30ASTRRPBF

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds510pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IRFBC30ASTRRPBF

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that IRFBC30ASTRRPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRFBC30ASTRRPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRFBC30ASTRRPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRFBC30ASTRRPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRFBC30ASTRRPBF price and inventory displayed accurate?
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