| Numero di parte | IRFBE30STRR |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.408 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 2.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRFBE30STRR |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRFBE30STRR D# IRFBE30STRR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRFBE30STRR |
VBsemi Electronics Co Ltd |
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1000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRFBE30STRR D# NS-IRFBE30STRR |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
6423 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRFBE30STRR |
Vishay Huntington |
shipping today |
45635 |
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