Name: IRFIB8N50KPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFIB8N50KPBF
Availability: InStock
Rating: 5 (73 reviews)

IRFIB8N50KPBF

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Numero di parte	IRFIB8N50KPBF
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP
Scheda dati	IRFIB8N50KPBF Scheda dati
pacchetto	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
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Specifiche IRFIB8N50KPBF

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	89nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2160pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Scheda tecnica IRFIB8N50KPBF

IRFIB8N50KPBF Packaging

IRFIB8N50KPBF FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IRFIB8N50KPBF is from the original manufacturer or authorized agents?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRFIB8N50KPBF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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