Name: IRFL4105PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFL4105PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (91 reviews)

IRFL4105PBF

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Numero di parte	IRFL4105PBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Scheda dati	IRFL4105PBF Scheda dati
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
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Specifiche IRFL4105PBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 3.7A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-223
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA

Scheda tecnica IRFL4105PBF

IRFL4105PBF Packaging

IRFL4105PBF FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IRFL4105PBF we delivered, we will accept the replacement or return of the IRFL4105PBF only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223

4560

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IRFL4105PBF

D# 2156-IRFL4105PBF-IT-ND

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3.7A I(D), 55V, 0.045OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-261AA

1040

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