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IRFP4227PBF

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Numero di parte IRFP4227PBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
Scheda dati

IRFP4227PBF Scheda dati

pacchetto TO-247-3
A magazzino 3.636 piece(s)
Prezzo unitario $ 4,2200 *
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Specifiche IRFP4227PBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C65A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs98nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4600pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 46A, 10V
temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AC
Pacchetto / casoTO-247-3

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