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IRL8113STRRPBF

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Numero di parte IRL8113STRRPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
Scheda dati

IRL8113STRRPBF Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IRL8113STRRPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C105A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2840pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6 mOhm @ 21A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IRL8113STRRPBF

IRL8113STRRPBF Packaging

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Packing
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IRL8113STRRPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRL8113STRRPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRL8113STRRPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRL8113STRRPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRL8113STRRPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRL8113STRRPBF price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
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