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| Numero di parte | IRLBD59N04ETRLP |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-6, D2Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.408 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-6, D2Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
| ECAD |
|
| Serie | HEXFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 59A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2190pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 35A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263-5 |
| Pacchetto / caso | TO-263-6, D2Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRLBD59N04ETRLP |
International Rectifier |
MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRLBD59N04ETRLP D# IRLBD59N04ETRLP-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 40V 59A TO263-5 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRLBD59N04ETRLP D# NS-IRLBD59N04ETRLP |
International Rectifier |
OEM/CM ONLY |
1727 |
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