| Numero di parte | IXFA3N80 |
|---|---|
| Produttore | IXYS |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| A magazzino | 2.832 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | IXYS |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | HiPerFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 685pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 500mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (IXFA) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXFA3N80 |
IXYS Corporation |
800V,3.6A MOSFET with FAST Intrinsic Diode, TO-263 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXFA3N80 D# IXFA3N80-ND |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXFA3N80 D# NS-IXFA3N80 |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
7954 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXFA3N80 |
IXYS Integrated Circuits Division |
shipping today |
58693 |
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