Name: IXFA8N50P3
Brand: IXYS
SKU: IXFA8N50P3
Availability: InStock
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IXFA8N50P3

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Numero di parte	IXFA8N50P3
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA
Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IXFA8N50P3

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	HiPerFET?, Polar3?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	705pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263 (IXFA)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXFA8N50P3 Packaging

IXFA8N50P3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IXFA8N50P3 we delivered, we will accept the replacement or return of the IXFA8N50P3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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IXFA8N50P3

IXYS Corporation

MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode

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D# IXFA8N50P3-ND

IXYS Corporation

MOSFET N-CH 500V 8A TO263

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