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IXFH100N25P

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Numero di parte IXFH100N25P
Produttore IXYS
Descrizione MOSFET N-CH 250V 100A TO-247
Scheda dati

IXFH100N25P Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche IXFH100N25P

ProduttoreIXYS
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SeriePolarHT? HiPerFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs185nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6300pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs27 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica IXFH100N25P

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IXFH100N25P FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IXFH100N25P is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IXFH100N25P. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IXFH100N25P on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IXFH100N25P products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IXFH100N25P price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IXFH100N25P?
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