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IXFH13N90

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Numero di parte IXFH13N90
Produttore IXYS
Descrizione MOSFET N-CH 900V 13A TO-247
Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
A magazzino 2.384 piece(s)
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Specifiche IXFH13N90

ProduttoreIXYS
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieHiPerFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs155nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4200pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs800 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD (IXFH)
Pacchetto / casoTO-247-3

IXFH13N90 Packaging

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Sealing
Packing
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IXFH13N90 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IXFH13N90 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IXFH13N90. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IXFH13N90 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IXFH13N90 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IXFH13N90 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IXFH13N90?
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Trans MOSFET N-CH 900V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD

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