Name: IXFH36N55Q2
Brand: IXYS
SKU: IXFH36N55Q2
Availability: InStock
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IXFH36N55Q2

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Numero di parte	IXFH36N55Q2
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
Scheda dati	IXFH36N55Q2 Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
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Specifiche IXFH36N55Q2

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	HiPerFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	550V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	36A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4100pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / caso	TO-247-3

Scheda tecnica IXFH36N55Q2

IXFH36N55Q2 Packaging

IXFH36N55Q2 FAQ

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3. Are the IXFH36N55Q2 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IXFH36N55Q2 we delivered, we will accept the replacement or return of the IXFH36N55Q2 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Trans MOSFET N-CH 550V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD

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D# IXFH36N55Q2-ND

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