| Numero di parte | IXFK210N17T |
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| Produttore | IXYS |
| Descrizione | MOSFET N-CH 170V 210A TO-264 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-264-3, TO-264AA |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.824 piece(s) |
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| Produttore | IXYS |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-264-3, TO-264AA |
| ECAD |
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| Serie | GigaMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 170V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 210A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 285nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 18800pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 60A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264AA (IXFK) |
| Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXFK210N17T |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 170V 210A TO-264 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXFK210N17T D# IXFK210N17T-ND |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 170V 210A TO264AA |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXFK210N17T D# NS-IXFK210N17T |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
4532 |
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