| Numero di parte | IXFQ12N80P |
|---|---|
| Produttore | IXYS |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 7.824 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | IXYS |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ECAD |
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| Serie | HiPerFET?, PolarHT? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 360W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 500mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
| Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXFQ12N80P |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXFQ12N80P D# IXFQ12N80P-ND |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 800V 12A TO3P |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXFQ12N80P D# NS-IXFQ12N80P |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
8365 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXFQ12N80P |
IXYS Corporation |
RFQ |
1611 |
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