Name: IXKC19N60C5
Brand: IXYS
SKU: IXKC19N60C5
Availability: InStock
Rating: 5 (144 reviews)

IXKC19N60C5

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Numero di parte	IXKC19N60C5
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
Scheda dati	IXKC19N60C5 Scheda dati
pacchetto	ISOPLUS220?
ECAD
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Specifiche IXKC19N60C5

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	ISOPLUS220?
ECAD
Serie	CoolMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Super Junction
Dissipazione di potenza (max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 16A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	ISOPLUS220?
Pacchetto / caso	ISOPLUS220?

Scheda tecnica IXKC19N60C5

IXKC19N60C5 Packaging

IXKC19N60C5 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IXKC19N60C5 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IXKC19N60C5 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# IXKC19N60C5-ND

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